II вариант

4.9. II вариант устройства искусственного основания путем уплотнения насыпных грунтов тяжелой свободно падающей трамбовкой (Рис. 5) применяется при невысокой степени влажности грунта (S_r < 0,7), ограниченном содержании (до 0,1 по весу) в насыпных грунтах древесных и др. органических включений, недостаточной, указанной в п. 4.8., и неравномерном распределении по площади и глубине их плотности.

Уплотнение насыпных грунтов производят трамбовкой с диаметром основания (d_тр = 1,6 м вдоль траншеи (см. Рис. 2а) в зависимости от ее ширины в один (см. Рис. 5а) или 2 - 3 следа (см. Рис. 5б) с перекрытием следов. Уплотнение в один след применяют при минимально допустимой ширине уплотненной площади 1,6 м, а при большей ширине уплотнение на дне траншеи выполняют в 2 - 3 следа.

Необходимая ширина уплотненной площади должна быть на 0,2 м больше в каждую сторону ширины подготовки, а под колодцами не менее ширины основания колодца.

4.9.1. Основные технологические операции по реализации II варианта включают:

отрывку-планировку траншеи с недобором на 0,3 - 0,6 м выше проектной отметки подготовки;

поверхностное уплотнение насыпных грунтов трамбовкой до состояния «отказа»;

планировку дна траншеи срезкой верхнего разуплотненного слоя грунта или доуплотнение его ударами трамбовки, сбрасываемой с высоты 0,5 - 1,5 м, до отметки низа подготовки;

устройство песчаной подготовки - выравнивающего слоя по п. 4.8.

Источник: snip-id-10890: Технологическая карта по устройству искусственных оснований наружных сетей и малоэтажных зданий на насыпных грунтах

4.9. II вариант устройства искусственного основания путем уплотнения насыпных грунтов тяжелой свободно падающей трамбовкой (Рис. 5) применяется при невысокой степени влажности грунта (S_r < 0,7), ограниченном содержании (до 0,1 по весу) в насыпных грунтах древесных и др. органических включений, недостаточной, указанной в п. 4.8., и неравномерном распределении по площади и глубине их плотности.

Уплотнение насыпных грунтов производят трамбовкой с диаметром основания (d_тр = 1,6 м вдоль траншеи (см. Рис. 2а) в зависимости от ее ширины в один (см. Рис. 5а) или 2 - 3 следа (см. Рис. 5б) с перекрытием следов. Уплотнение в один след применяют при минимально допустимой ширине уплотненной площади 1,6 м, а при большей ширине уплотнение на дне траншеи выполняют в 2 - 3 следа.

Необходимая ширина уплотненной площади должна быть на 0,2 м больше в каждую сторону ширины подготовки, а под колодцами не менее ширины основания колодца.

4.9.1. Основные технологические операции по реализации II варианта включают:

отрывку-планировку траншеи с недобором на 0,3 - 0,6 м выше проектной отметки подготовки;

поверхностное уплотнение насыпных грунтов трамбовкой до состояния «отказа»;

планировку дна траншеи срезкой верхнего разуплотненного слоя грунта или доуплотнение его ударами трамбовки, сбрасываемой с высоты 0,5 - 1,5 м, до отметки низа подготовки;

устройство песчаной подготовки - выравнивающего слоя по п. 4.8.

Источник: Технологическая карта: Технологическая карта по устройству искусственных оснований наружных сетей и малоэтажных зданий на насыпных грунтах